BFU630F,115 | NXP Semiconductors BFU630F,115 | BFU630F,115 Inventory, Best Pricing

BFU630F,115

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Artikelnummer	BFU630F,115
LIXINC Part #	BFU630F,115
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFU630F,115 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFU630F,115 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFU630F,115
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	5.5V
Frequenz - Übergang:	21GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
gewinnen:	13dB ~ 22.5dB
Leistung max:	200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	90 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-343F
Gerätepaket des Lieferanten:	4-DFP