BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors BFU725F/N1,115 | BFU725F/N1,115 Inventory, Best Pricing

BFU725F/N1,115

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Artikelnummer	BFU725F/N1,115
LIXINC Part #	BFU725F/N1,115
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BFU725F/N1,115 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BFU725F/N1,115 Spezifikationen

Artikelnummer:	BFU725F/N1,115
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	2.8V
Frequenz - Übergang:	55GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
gewinnen:	10dB ~ 24dB
Leistung max:	136mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	160 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (ic) (max):	40mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-343 Reverse Pinning
Gerätepaket des Lieferanten:	4-SO

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