NSVEMT1DXV6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVEMT1DXV6T1G

NSVEMT1DXV6T1G

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Artikelnummer	NSVEMT1DXV6T1G
LIXINC Part #	NSVEMT1DXV6T1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Beschreibung	TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSVEMT1DXV6T1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSVEMT1DXV6T1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSVEMT1DXV6T1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	60V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500pA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 6V
Leistung max:	500mW
Frequenz - Übergang:	140MHz
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-563

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