HN4B01JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN4B01JE(TE85L,F) | HN4B01JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

HN4B01JE(TE85L,F)

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Artikelnummer	HN4B01JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	HN4B01JE(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Beschreibung	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HN4B01JE(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HN4B01JE(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	HN4B01JE(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN, PNP (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (ic) (max):	150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 10MA, 100MA
Leistung max:	100mW
Frequenz - Übergang:	80MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-553
Gerätepaket des Lieferanten:	ESV

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