IMD10AT108 | ROHM Semiconductor IMD10AT108 | IMD10AT108 Inventory, Best Pricing

IMD10AT108

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Artikelnummer	IMD10AT108
LIXINC Part #	IMD10AT108
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IMD10AT108 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IMD10AT108 Spezifikationen

Artikelnummer:	IMD10AT108
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms, 100Ohms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	250MHz, 200MHz
Leistung max:	300mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-74, SOT-457
Gerätepaket des Lieferanten:	SMT6

RN2907,LF(CT	PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH	5863 Mehr auf Bestellung
NSBA144EDXV6T5	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR	8876 Mehr auf Bestellung
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