RN1909FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1909FE(TE85L,F) | RN1909FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

RN1909FE(TE85L,F)

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Artikelnummer	RN1909FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	RN1909FE(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RN1909FE(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RN1909FE(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	RN1909FE(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	47kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	22kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	250MHz
Leistung max:	100mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten:	ES6

PUMH11,115	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP	6847 Mehr auf Bestellung
NSM11156DW6T1G	SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR	330807 Mehr auf Bestellung
SMUN5233DW1T1G	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88	35330884 Mehr auf Bestellung
SSVMUN5312DW1T2G	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88	186937 Mehr auf Bestellung
PEMH10,115	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666	23473 Mehr auf Bestellung
PUMB11,135	TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP	803 Mehr auf Bestellung
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