NSVMUN531335DW1T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T1G | NSVMUN531335DW1T1G Inventory, Best Pricing

NSVMUN531335DW1T1G

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Artikelnummer	NSVMUN531335DW1T1G
LIXINC Part #	NSVMUN531335DW1T1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSVMUN531335DW1T1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSVMUN531335DW1T1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSVMUN531335DW1T1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	47kOhms, 2.2kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	187mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-88/SC70-6/SOT-363

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