UMG4N-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) UMG4N-7

UMG4N-7

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Artikelnummer	UMG4N-7
LIXINC Part #	UMG4N-7
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	UMG4N-7 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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UMG4N-7 Spezifikationen

Artikelnummer:	UMG4N-7
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Frequenz - Übergang:	250MHz
Leistung max:	150mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-353

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