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EMB10T2R

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Artikelnummer	EMB10T2R
LIXINC Part #	EMB10T2R
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EMB10T2R PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EMB10T2R Spezifikationen

Artikelnummer:	EMB10T2R
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	2.2kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	250MHz
Leistung max:	150mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-563, SOT-666
Gerätepaket des Lieferanten:	EMT6

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