VS-ST083S08PFN0 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ST083S08PFN0

VS-ST083S08PFN0

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	VS-ST083S08PFN0
LIXINC Part #	VS-ST083S08PFN0
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Thyristoren - scrs
Beschreibung	SCR 800V 135A TO209AC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-ST083S08PFN0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

VS-ST083S08PFN0 Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-ST083S08PFN0
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Thyristoren - scrs
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Spannung - Aus-Zustand:	800 V
Spannung - Gate-Trigger (vgt) (max):	3 V
Strom - Gate-Trigger (igt) (max):	200 mA
Spannung - eingeschalteter Zustand (vtm) (max):	2.15 V
Strom - Ein-Zustand (it (av)) (max):	85 A
Strom - Ein-Zustand (it (rms)) (max):	135 A
Strom - halten (ih) (max):	600 mA
Strom - Aus-Zustand (max.):	30 mA
Strom - nicht rep. Anstieg 50, 60 Hz (itsm):	2450A, 2560A
scr-Typ:	Standard Recovery
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis, Stud Mount
Paket / Koffer:	TO-209AC, TO-94-4, Stud
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-209AC (TO-94)