VS-ST180S12P0VPBF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ST180S12P0VPBF | VS-ST180S12P0VPBF Inventory, Best Pricing

VS-ST180S12P0VPBF

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Artikelnummer	VS-ST180S12P0VPBF
LIXINC Part #	VS-ST180S12P0VPBF
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Thyristoren - scrs
Beschreibung	SCR 1.2KV 314A TO209AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-ST180S12P0VPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-ST180S12P0VPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-ST180S12P0VPBF
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Thyristoren - scrs
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Spannung - Aus-Zustand:	1.2 kV
Spannung - Gate-Trigger (vgt) (max):	3 V
Strom - Gate-Trigger (igt) (max):	150 mA
Spannung - eingeschalteter Zustand (vtm) (max):	1.75 V
Strom - Ein-Zustand (it (av)) (max):	200 A
Strom - Ein-Zustand (it (rms)) (max):	314 A
Strom - halten (ih) (max):	600 mA
Strom - Aus-Zustand (max.):	30 mA
Strom - nicht rep. Anstieg 50, 60 Hz (itsm):	5000A, 5230A
scr-Typ:	Standard Recovery
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis, Stud Mount
Paket / Koffer:	TO-209AB, TO-93-4, Stud
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-209AB (TO-93)

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