T660N22TOFPRXOSA1 | IR (Infineon Technologies) T660N22TOFPRXOSA1 | T660N22TOFPRXOSA1 Inventory, Best Pricing

T660N22TOFPRXOSA1

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Artikelnummer	T660N22TOFPRXOSA1
LIXINC Part #	T660N22TOFPRXOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › thyristoren - scrs - module
Beschreibung	DIODE BG-T5726K-1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	T660N22TOFPRXOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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T660N22TOFPRXOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	T660N22TOFPRXOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	thyristoren - scrs - module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Struktur:	Single
Anzahl scrs, Dioden:	1 SCR
Spannung - Aus-Zustand:	2.2 kV
Strom - Ein-Zustand (it (av)) (max):	660 A
Strom - Ein-Zustand (it (rms)) (max):	1500 A
Spannung - Gate-Trigger (vgt) (max):	2.2 V
Strom - Gate-Trigger (igt) (max):	250 mA
Strom - nicht rep. Anstieg 50, 60 Hz (itsm):	13000A @ 50Hz
Strom - halten (ih) (max):	300 mA
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	TO-200AB, A-PUK

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