PLZ4V3B-HG3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division PLZ4V3B-HG3_A/H

PLZ4V3B-HG3_A/H

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Artikelnummer	PLZ4V3B-HG3_A/H
LIXINC Part #	PLZ4V3B-HG3_A/H
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Zener - Single
Beschreibung	DIODE ZENER 4.3V 960MW DO219AC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PLZ4V3B-HG3_A/H PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PLZ4V3B-HG3_A/H Spezifikationen

Artikelnummer:	PLZ4V3B-HG3_A/H
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Zener - Single
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101, PLZ
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Spannung - Zener (nom) (vz):	4.3 V
Toleranz:	±3.02%
Leistung max:	960 mW
Impedanz (max) (zzt):	40 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	5 µA @ 1 V
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	900 mV @ 10 mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-219AC
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-219AC (microSMF)