BZD27B8V2P-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 | BZD27B8V2P-HE3-18 Inventory, Best Pricing

BZD27B8V2P-HE3-18

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Artikelnummer	BZD27B8V2P-HE3-18
LIXINC Part #	BZD27B8V2P-HE3-18
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Zener - Single
Beschreibung	DIODE ZENER 8.2V 800MW DO219AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BZD27B8V2P-HE3-18 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BZD27B8V2P-HE3-18 Spezifikationen

Artikelnummer:	BZD27B8V2P-HE3-18
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Zener - Single
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101, BZD27B
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Spannung - Zener (nom) (vz):	8.2 V
Toleranz:	-
Leistung max:	800 mW
Impedanz (max) (zzt):	2 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 µA @ 3 V
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.2 V @ 200 mA
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-219AB
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-219AB (SMF)