1N5257B-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N5257B-TAP

1N5257B-TAP

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Artikelnummer	1N5257B-TAP
LIXINC Part #	1N5257B-TAP
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Zener - Single
Beschreibung	DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	1N5257B-TAP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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1N5257B-TAP Spezifikationen

Artikelnummer:	1N5257B-TAP
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Zener - Single
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Active
Spannung - Zener (nom) (vz):	33 V
Toleranz:	±5%
Leistung max:	500 mW
Impedanz (max) (zzt):	58 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	100 nA @ 25 V
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 200 mA
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 175°C
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	DO-204AH, DO-35, Axial
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-35