VS-C08ET07T-M3

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Artikelnummer	VS-C08ET07T-M3
LIXINC Part #	VS-C08ET07T-M3
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - HF
Beschreibung	SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-C08ET07T-M3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-C08ET07T-M3 Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-C08ET07T-M3
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - HF
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Schottky - Single
Spannung - Spitzenrückwärts (max):	650V
Strom - max:	8 A
Kapazität @ vr, f:	355pF @ 1V, 1MHz
Widerstand @ wenn, f:	-
Verlustleistung (max.):	54 W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Paket / Koffer:	TO-220-2
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AC

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