NGTD13R120F2WP | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

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Artikelnummer	NGTD13R120F2WP
LIXINC Part #	NGTD13R120F2WP
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTD13R120F2WP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NGTD13R120F2WP Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTD13R120F2WP
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	-
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	2.6 V @ 25 A
Geschwindigkeit:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	175°C (Max)

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