SIDC08D60C8X1SA2 | IR (Infineon Technologies) SIDC08D60C8X1SA2 | SIDC08D60C8X1SA2 Inventory, Best Pricing

SIDC08D60C8X1SA2

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Artikelnummer	SIDC08D60C8X1SA2
LIXINC Part #	SIDC08D60C8X1SA2
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIDC08D60C8X1SA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIDC08D60C8X1SA2 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIDC08D60C8X1SA2
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	600 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	30A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.95 V @ 30 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	27 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	Die
Gerätepaket des Lieferanten:	Die
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-40°C ~ 175°C

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