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D850N30TXPSA1

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Artikelnummer	D850N30TXPSA1
LIXINC Part #	D850N30TXPSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 3KV 850A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	D850N30TXPSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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D850N30TXPSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	D850N30TXPSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	3000 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	850A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.28 V @ 850 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	50 mA @ 3000 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	DO-200AB, B-PUK
Gerätepaket des Lieferanten:	-
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-40°C ~ 160°C