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Artikelnummer | VS-8EWS12S-M3 |
LIXINC Part # | VS-8EWS12S-M3 |
Hersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | VS-8EWS12S-M3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | VS-8EWS12S-M3 |
Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 1200 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 8A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 1.1 V @ 8 A |
Geschwindigkeit: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 50 µA @ 1200 V |
Kapazität @ vr, f: | - |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gerätepaket des Lieferanten: | D-PAK (TO-252AA) |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -55°C ~ 150°C |
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Auf Lager | 12135 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.12000 | $3.12 |
75 | $2.68354 | $201.2655 |
150 | $2.31978 | $347.967 |
525 | $1.94626 | $1021.7865 |
1050 | $1.65136 | $1733.928 |
2550 | $1.60222 | $4085.661 |
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