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Artikelnummer | FESB8CT-E3/81 |
LIXINC Part # | FESB8CT-E3/81 |
Hersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | FESB8CT-E3/81 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 28 - Nov 01 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | FESB8CT-E3/81 |
Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 150 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 8A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 950 mV @ 8 A |
Geschwindigkeit: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | 35 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 10 µA @ 150 V |
Kapazität @ vr, f: | - |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-263AB |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -55°C ~ 150°C |
STTH110A | DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA | 12660 Mehr auf Bestellung |
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S5G R7G | DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB | 943 Mehr auf Bestellung |
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HVM14SRTL-E | PIN DIODE, 50V | 11966 Mehr auf Bestellung |
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S3K-13-F | DIODE GEN PURP 800V 3A SMC | 17521 Mehr auf Bestellung |
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RSFJL RUG | DIODE GEN PURP 600V 500MA SUBSMA | 911 Mehr auf Bestellung |
Auf Lager | 10955 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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800 | $0.77790 | $622.32 |
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