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Artikelnummer | VS-2EFH01HM3/I |
LIXINC Part # | VS-2EFH01HM3/I |
Hersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | VS-2EFH01HM3/I PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | VS-2EFH01HM3/I |
Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 100 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 2A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 950 mV @ 2 A |
Geschwindigkeit: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | 16 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 2 µA @ 100 V |
Kapazität @ vr, f: | - |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | DO-219AB |
Gerätepaket des Lieferanten: | DO-219AB (SMF) |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -65°C ~ 175°C |
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Auf Lager | 10829 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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10000 | $0.11239 | $1123.9 |
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