VS-10ETF10STRR-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-10ETF10STRR-M3 | VS-10ETF10STRR-M3 Inventory, Best Pricing

VS-10ETF10STRR-M3

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Artikelnummer	VS-10ETF10STRR-M3
LIXINC Part #	VS-10ETF10STRR-M3
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-10ETF10STRR-M3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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VS-10ETF10STRR-M3 Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-10ETF10STRR-M3
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1000 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	10A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.33 V @ 10 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	310 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	100 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-40°C ~ 150°C

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