1N4448TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N4448TAP

1N4448TAP

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	1N4448TAP
LIXINC Part #	1N4448TAP
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	1N4448TAP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

1N4448TAP Spezifikationen

Artikelnummer:	1N4448TAP
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	75 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	150mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	720 mV @ 5 mA
Geschwindigkeit:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Rückwärtserholzeit (trr):	8 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	5 µA @ 75 V
Kapazität @ vr, f:	4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	DO-204AH, DO-35, Axial
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-35
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	175°C (Max)