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Artikelnummer | VS-10ETF02STRR-M3 |
LIXINC Part # | VS-10ETF02STRR-M3 |
Hersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | VS-10ETF02STRR-M3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | VS-10ETF02STRR-M3 |
Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Gleichrichter - einzeln |
Hersteller: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
Diodentyp: | Standard |
spannung - dc umgekehrt (vr) (max): | 200 V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io): | 10A |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 1.2 V @ 10 A |
Geschwindigkeit: | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Rückwärtserholzeit (trr): | 200 ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 100 µA @ 200 V |
Kapazität @ vr, f: | - |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gerätepaket des Lieferanten: | D2PAK |
Betriebstemperatur - Sperrschicht: | -40°C ~ 150°C |
ESH3BHE3_A/H | DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB | 860 Mehr auf Bestellung |
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VS-SD300R25PC | DIODE GEN PURP 2.5KV 380A DO205 | 989 Mehr auf Bestellung |
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Auf Lager | 10878 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.14730 | $1.1473 |
800 | $1.10621 | $884.968 |
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