JANTX1N5811US | Roving Networks / Microchip Technology JANTX1N5811US

JANTX1N5811US

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Artikelnummer	JANTX1N5811US
LIXINC Part #	JANTX1N5811US
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	JANTX1N5811US PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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JANTX1N5811US Spezifikationen

Artikelnummer:	JANTX1N5811US
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	Military, MIL-PRF-19500/477
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	150 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	3A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	30 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	5 µA @ 150 V
Kapazität @ vr, f:	60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SQ-MELF, B
Gerätepaket des Lieferanten:	B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 175°C