US1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

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Artikelnummer	US1B-M3/5AT
LIXINC Part #	US1B-M3/5AT
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	US1B-M3/5AT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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US1B-M3/5AT Spezifikationen

Artikelnummer:	US1B-M3/5AT
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	100 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1 V @ 1 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 µA @ 100 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-214AC, SMA
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C