VS-1N3767 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1N3767

VS-1N3767

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	VS-1N3767
LIXINC Part #	VS-1N3767
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 900V 35A DO203AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-1N3767 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

VS-1N3767 Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-1N3767
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	900 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	35A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.8 V @ 110 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	3 mA @ 900 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Chassis, Stud Mount
Paket / Koffer:	DO-203AB, DO-5, Stud
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-203AB
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-65°C ~ 190°C