UGB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division UGB8JT-E3/81

UGB8JT-E3/81

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Artikelnummer	UGB8JT-E3/81
LIXINC Part #	UGB8JT-E3/81
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	UGB8JT-E3/81 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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UGB8JT-E3/81 Spezifikationen

Artikelnummer:	UGB8JT-E3/81
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	600 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.75 V @ 8 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	50 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	30 µA @ 600 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C