US1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1MHE3_A/I

US1MHE3_A/I

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	US1MHE3_A/I
LIXINC Part #	US1MHE3_A/I
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	US1MHE3_A/I PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

US1MHE3_A/I Spezifikationen

Artikelnummer:	US1MHE3_A/I
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1000 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	1A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.7 V @ 1 A
Geschwindigkeit:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	75 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	10 µA @ 1000 V
Kapazität @ vr, f:	10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-214AC, SMA
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C