IMBD4448-HE3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division IMBD4448-HE3-18

IMBD4448-HE3-18

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Artikelnummer	IMBD4448-HE3-18
LIXINC Part #	IMBD4448-HE3-18
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IMBD4448-HE3-18 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 19 - Oct 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IMBD4448-HE3-18 Spezifikationen

Artikelnummer:	IMBD4448-HE3-18
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	75 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	150mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1 V @ 10 mA
Geschwindigkeit:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Rückwärtserholzeit (trr):	4 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	2.5 µA @ 70 V
Kapazität @ vr, f:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	150°C (Max)

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