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NXPSC166506Q

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Artikelnummer	NXPSC166506Q
LIXINC Part #	NXPSC166506Q
Hersteller	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - einzeln
Beschreibung	SILICON CARBIDE POWER DIODE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NXPSC166506Q PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NXPSC166506Q Spezifikationen

Artikelnummer:	NXPSC166506Q
Marke:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - einzeln
Hersteller:	WeEn Semiconductors Co., Ltd
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Diodentyp:	Silicon Carbide Schottky
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	650 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io):	16A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.7 V @ 16 A
Geschwindigkeit:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	100 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f:	534pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-2
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AC
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	175°C (Max)

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