TRS12N65FB,S1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TRS12N65FB,S1Q

TRS12N65FB,S1Q

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Artikelnummer	TRS12N65FB,S1Q
LIXINC Part #	TRS12N65FB,S1Q
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - Arrays
Beschreibung	SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TRS12N65FB,S1Q PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TRS12N65FB,S1Q Spezifikationen

Artikelnummer:	TRS12N65FB,S1Q
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Diodenkonfiguration:	1 Pair Common Cathode
Diodentyp:	Silicon Carbide Schottky
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	650 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode):	6A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.6 V @ 6 A
Geschwindigkeit:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	30 µA @ 650 V
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	175°C
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247