HN2S02JE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation HN2S02JE(TE85L,F) | HN2S02JE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

HN2S02JE(TE85L,F)

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Artikelnummer	HN2S02JE(TE85L,F)
LIXINC Part #	HN2S02JE(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - Arrays
Beschreibung	DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HN2S02JE(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HN2S02JE(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	HN2S02JE(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Diodenkonfiguration:	2 Independent
Diodentyp:	Schottky
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	40 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode):	100mA
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	600 mV @ 100 mA
Geschwindigkeit:	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	5 µA @ 40 V
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	125°C (Max)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-553
Gerätepaket des Lieferanten:	ESV