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BCR133SB6327XT

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Artikelnummer	BCR133SB6327XT
LIXINC Part #	BCR133SB6327XT
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BCR133SB6327XT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BCR133SB6327XT Spezifikationen

Artikelnummer:	BCR133SB6327XT
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Frequenz - Übergang:	130MHz
Leistung max:	250mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SOT363-6