TSM2N7000KCT A3G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM2N7000KCT A3G | TSM2N7000KCT A3G Inventory, Best Pricing

TSM2N7000KCT A3G

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	TSM2N7000KCT A3G
LIXINC Part #	TSM2N7000KCT A3G
Hersteller	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TSM2N7000KCT A3G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

TSM2N7000KCT A3G Spezifikationen

Artikelnummer:	TSM2N7000KCT A3G
Marke:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Serie:	-
Paket:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	300mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	5Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7.32 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	400mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)