3N163-E3 | Vishay / Siliconix 3N163-E3 | 3N163-E3 Inventory, Best Pricing

3N163-E3

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	3N163-E3
LIXINC Part #	3N163-E3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	3N163-E3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

3N163-E3 Spezifikationen

Artikelnummer:	3N163-E3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	20V
rds auf (max) @ id, vgs:	250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.5 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	375mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-72
Paket / Koffer:	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can