CYDM128B16-55BVXI

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Artikelnummer	CYDM128B16-55BVXI
LIXINC Part #	CYDM128B16-55BVXI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CYDM128B16-55BVXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CYDM128B16-55BVXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CYDM128B16-55BVXI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, MoBL
Speichergröße:	128Kb (8K x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	55ns
Zugriffszeit:	55 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	100-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	100-VFBGA (6x6)

CYDM128B16-55BVXI Unterlagen

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