IKD10N60RFAATMA1 | IR (Infineon Technologies) IKD10N60RFAATMA1 | IKD10N60RFAATMA1 Inventory, Best Pricing

IKD10N60RFAATMA1

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Artikelnummer	IKD10N60RFAATMA1
LIXINC Part #	IKD10N60RFAATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IKD10N60RFAATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IKD10N60RFAATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IKD10N60RFAATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Not For New Designs
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 10A
Leistung max:	150 W
Schaltenergie:	190µJ (on), 160µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	64 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	12ns/168ns
Testbedingung:	400V, 10A, 26Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	72 ns
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3

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