IHW15N120R3FKSA1 | IR (Infineon Technologies) IHW15N120R3FKSA1 | IHW15N120R3FKSA1 Inventory, Best Pricing

IHW15N120R3FKSA1

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Artikelnummer	IHW15N120R3FKSA1
LIXINC Part #	IHW15N120R3FKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IHW15N120R3FKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IHW15N120R3FKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IHW15N120R3FKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	30 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.7V @ 15V, 15A
Leistung max:	254 W
Schaltenergie:	700µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	165 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	-/300ns
Testbedingung:	600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3

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