IGW50N60H3FKSA1 | IR (Infineon Technologies) IGW50N60H3FKSA1 | IGW50N60H3FKSA1 Inventory, Best Pricing

IGW50N60H3FKSA1

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Artikelnummer	IGW50N60H3FKSA1
LIXINC Part #	IGW50N60H3FKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGW50N60H3FKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IGW50N60H3FKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGW50N60H3FKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	TrenchStop®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	100 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	200 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
Leistung max:	333 W
Schaltenergie:	2.36mJ
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	315 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	23ns/235ns
Testbedingung:	400V, 50A, 7Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3

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