FDMA430NZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA430NZ

FDMA430NZ

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Artikelnummer	FDMA430NZ
LIXINC Part #	FDMA430NZ
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDMA430NZ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FDMA430NZ Spezifikationen

Artikelnummer:	FDMA430NZ
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	800 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.4W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer:	6-VDFN Exposed Pad