IPD50R800CEATMA1 | Rochester Electronics IPD50R800CEATMA1 | IPD50R800CEATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD50R800CEATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPD50R800CEATMA1
LIXINC Part #	IPD50R800CEATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 5A TO252-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPD50R800CEATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPD50R800CEATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPD50R800CEATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	CoolMOS™ CE
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	500 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	13V
rds auf (max) @ id, vgs:	800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	12.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	280 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	60W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63