SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM5N15FE(TE85L,F) | SSM5N15FE(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM5N15FE(TE85L,F)

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Artikelnummer	SSM5N15FE(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM5N15FE(TE85L,F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM5N15FE(TE85L,F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM5N15FE(TE85L,F) Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM5N15FE(TE85L,F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	π-MOSVI
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4V
rds auf (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7.8 pF @ 3 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	150mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	ESV
Paket / Koffer:	SOT-553