FQD6N60CTM-WS | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQD6N60CTM-WS

FQD6N60CTM-WS

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Artikelnummer	FQD6N60CTM-WS
LIXINC Part #	FQD6N60CTM-WS
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FQD6N60CTM-WS PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FQD6N60CTM-WS Spezifikationen

Artikelnummer:	FQD6N60CTM-WS
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	QFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	810 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	80W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D-Pak
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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