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IPD80N06S3-09

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Artikelnummer	IPD80N06S3-09
LIXINC Part #	IPD80N06S3-09
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPD80N06S3-09 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPD80N06S3-09 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPD80N06S3-09
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8.4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 55µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	88 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6.1 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	107W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63