DMNH10H028SPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMNH10H028SPSQ-13 | DMNH10H028SPSQ-13 Inventory, Best Pricing

DMNH10H028SPSQ-13

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Artikelnummer	DMNH10H028SPSQ-13
LIXINC Part #	DMNH10H028SPSQ-13
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMNH10H028SPSQ-13 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMNH10H028SPSQ-13 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMNH10H028SPSQ-13
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2245 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerDI5060-8
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN