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NTMSD2P102LR2G

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Artikelnummer	NTMSD2P102LR2G
LIXINC Part #	NTMSD2P102LR2G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTMSD2P102LR2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NTMSD2P102LR2G Spezifikationen

Artikelnummer:	NTMSD2P102LR2G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	FETKY™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 16 V
fet-Funktion:	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.):	710mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)