IPI147N12N3GAKSA1 | Rochester Electronics IPI147N12N3GAKSA1 | IPI147N12N3GAKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI147N12N3GAKSA1

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Artikelnummer	IPI147N12N3GAKSA1
LIXINC Part #	IPI147N12N3GAKSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPI147N12N3GAKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPI147N12N3GAKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPI147N12N3GAKSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	120 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	56A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	14.7mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 61µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3.22 pF @ 60 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	107W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO262-3
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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